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宣布时间：2025-04-22 17:23:30阅读量：
在半导体加工中，金属化问题是一个要害的技术挑战，主要体现为金属互连线(如铜、铝)泛起电迁移和接触电阻升高，这些问题严重影响了芯片的性能和可靠性。
温度过高：在高温退火历程中，金属互连线会爆发电迁移或晶粒太过生长。这种微观结构的变革会直接影响电学性能，降低互连线的可靠性。
温度缺乏：当温度过低时，金属与硅之间的接触电阻无法获得优化。这会导致电流传输效率降低，增加器件的功耗，并使性能变得不稳定。
电迁移、晶粒太过生长以及接触电阻升高相互关联，配合导致芯片整体性能下降。这些问题不但会使芯片信号传输速度减慢、逻辑功效异常，还会增加芯片在使用历程中的故障危害，提高产品维护本钱和失效率。
优化退火温度：通过接纳高精度的温度控制系统，如精密工业冷水机，为半导体设备提供稳定的冷却支持，减少因温度波动导致的电迁移和接触电阻问题，从而提高芯片的性能和可靠性。
优化接触工艺：调解接触层的质料、厚度和制备工艺，例如接纳多层结构或添加掺杂元素，可以有效降低接触电阻，提高电流传输效率。
质料选择：选用抗电迁移能力强的金属质料(如铜合金)和导电性好的接触质料(如掺杂多晶硅或金属硅化物)，进一步优化接触电阻。
通过这些步伐，可以有效解决金属化问题，提升半导体芯片的性能和可靠性。
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